申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114910851B

主分类号：G01R33/36

分类号：G01R33/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件，具体为磁场增强组件和磁场增强器件，磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第四电极层和第一开关控制电路。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第二电极层和第四电极层设置于第二表面。第一电极层分别与第二电极层和第四电极层在第一电介质层的正投影具有重叠部分。第一开关控制电路的两端分别与第一电极层和第二电极层连接。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段能够有效降低磁场增强对人体的不良影响，同时能够消除磁场增强组件干扰射频发射场的图像的伪影。

主权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层（100），包括相对的第一表面（101）和第二表面（102）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101）；第二电极层（120）和第四电极层（140），间隔设置于所述第二表面（102），所述第一电极层（110）分别与所述第二电极层（120）和所述第四电极层（140）在所述第一电介质层（100）的正投影具有重叠部分，以及第一开关控制电路（430），所述第一开关控制电路（430）的两端分别与所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）连接；所述第一开关控制电路（430）用于在射频发射阶段导通，所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）电连接,所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）无法构成第二结构电容（152），无法对射频发射场起到增强的作用；所述第一开关控制电路（430）还用于在射频接收阶段断开，所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）断开，所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）构成所述第二结构电容（152），能够对射频发射场起到增强的作用。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;北京清华长庚医院 基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件

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