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【发明授权】平面微波谐振器电路的微制造的空气桥_国际商业机器公司_201780094198.6 

申请/专利权人:国际商业机器公司

申请日:2017-11-29

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN111066150B

主分类号:H01L29/76

分类号:H01L29/76

优先权:["20170915 US 15/705,303"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2020.05.19#实质审查的生效;2020.04.24#公开

摘要:一种用于平面微波谐振器电路的微型空气桥的制造方法,包括在基础材料表面上沉积超导膜,其中超导膜形成有压缩应力,其中压缩应力高于定义结构的临界弯曲应力,蚀刻超导膜的暴露区域,从而形成至少一个桥,蚀刻基础材料,从而在至少一个桥和基础材料之间形成间隙,在超导膜的至少一部分和基础材料的至少一部分上沉积至少一条金属线。其中,至少一条金属线在桥下面延伸。

主权项:1.一种方法,包括:在基础材料的表面上沉积超导膜,其中,所述超导膜形成有压缩应力,其中所述压缩应力高于限定结构的临界弯曲应力,所述限定结构包括至少一个桥;在所述超导膜上形成第一光刻胶图案,其中,所述光刻胶图案限定所述至少一个桥;蚀刻所述超导膜的暴露区域,从而形成所述至少一个桥;蚀刻所述基础材料,从而在所述至少一个桥和所述基础材料之间形成间隙;在所述基础材料的至少限定的表面上形成第二光刻胶图案,其中所述第二光刻胶图案限定用于至少一条金属线的空间;清洁所述超导膜的至少一部分表面;在所述超导膜的至少一部分和所述基础材料的至少一部分上沉积所述至少一条金属线,其中所述至少一条金属线连接所述超导膜的第一部分和所述超导膜的第二部分,其中所述至少一条金属线在所述桥下延伸;以及去除所述第二光刻胶图案。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国际商业机器公司 平面微波谐振器电路的微制造的空气桥

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