申请/专利权人:成都市时代速信科技有限公司
申请日:2023-09-21
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN220858821U
主分类号:H10K10/46
分类号:H10K10/46;H10K10/80
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.26#授权
摘要:本申请涉及半导体领域,公开了一种有机场效应晶体管,包括:源极、漏极、栅极、有机半导体层、绝缘介质层和驻极体层;驻极体层设于有机半导体层和绝缘介质层之间,且驻极体层的厚度在预设方向上逐渐减小;预设方向为由源极至漏极的方向。本申请设有厚度不均的驻极体层,驻极体层中可以存储电荷,所以在沟道中形成非均匀电荷分布,电荷可以提供外加电场。外加电场在由源极至漏极的方向上和大小上,补偿有机半导体层与栅极不均等的电势差,促进在沟道方向电荷的均匀累积或耗尽,使得整个沟道同步开启、关闭,极大提升正常器件亚阈区跨导,开关比。有机场效应晶体管被氧气掺杂时,也能保持良好的开关特性,极大的增加了可靠性和寿命。
主权项:1.一种有机场效应晶体管,其特征在于,包括:源极、漏极、栅极、有机半导体层、绝缘介质层和驻极体层;所述驻极体层设于所述有机半导体层和所述绝缘介质层之间,且所述驻极体层的厚度在预设方向上逐渐减小;所述预设方向为由所述源极至所述漏极的方向。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 成都市时代速信科技有限公司 一种有机场效应晶体管
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