申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954327A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/762

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供一种FDSOI中锗硼源漏的形成方法，提供绝缘体上硅衬底，在硅层上形成有栅极结构，栅极结构两侧为源、漏区；利用锗硅外延工艺在源、漏区上形成种子外延层，在种子外延层上形成目标厚度的锗硅主体外延层，锗硅种子外延层和锗硅主体外延层均掺杂有P型离子；在主体外延层上形成第一帽层，第一帽层为掺杂P型离子的硅层，在第一帽层上形成第二帽层，第二帽层为纯硅层；在第二帽层上形成带O自由基的第一氧化层，退火使得第二帽层处的硅形成为第二氧化层，锗离子向下扩散形成锗、硅源漏；继续退火使得第一帽层处的硅形成为第三氧化层。本发明能够制作出高Ge和P型离子浓度的SiGe源漏抬升结构。

主权项：1.一种FDSOI中锗硼源漏的形成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底由自下而上依次堆叠的硅衬底、埋氧层和硅层组成，在所述硅层上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧为源、漏区；步骤二、利用锗硅外延工艺在所述源、漏区上形成种子外延层，在所述种子外延层上形成目标厚度的锗硅主体外延层，所述锗硅种子外延层和所述锗硅主体外延层均掺杂有P型离子；步骤三、在所述主体外延层上形成第一帽层，所述第一帽层为掺杂P型离子的硅层，在所述第一帽层上形成第二帽层，所述第二帽层为纯硅层；步骤四、在所述第二帽层上形成带O自由基的第一氧化层，退火使得所述第二帽层处的硅形成为第二氧化层，锗离子向下扩散形成锗、硅源漏；继续退火使得第一帽层处的硅形成为第三氧化层，所述第一帽层中的P型离子向下扩散至所述主体外延层和所述种子外延层中，使得所述主体外延层和所述种子外延层中的锗离子、P型离子均为目标浓度；步骤五、去除第一至三氧化层，在所述主体外延层上形成第三帽层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 FDSOI中锗硼源漏的形成方法

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