申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117957636A

主分类号：H01L21/285

分类号：H01L21/285;C23C16/04;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/768;H10B12/00;H10B41/27;H10B43/27

优先权：["20210910 US 63/243,010"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本文中提出用于包括特征填充处理的半导体处理的系统及方法。所述方法包括：在室中提供衬底，所述衬底具有待填充金属的特征；以及使金属前体和还原剂流动至所述室中，以在化学气相沉积CVD操作中在所述特征中沉积金属，其中所述CVD操作包括渐减阶段，在所述渐减阶段中进入所述室中的所述金属前体的流率从第一流率渐减至第二流率；或渐增阶段，在所述渐增阶段中进入所述室的所述金属前体的流率从第一流率渐增至第二流率。

主权项：1.一种方法，其包括：在室中提供衬底，所述衬底具有待填充金属的特征；以及使金属前体和还原剂流动至所述室中，以在化学气相沉积CVD操作中在所述特征中沉积金属，其中所述CVD操作包括渐减阶段，在所述渐减阶段中进入所述室的所述金属前体的流率从第一流率渐减至第二流率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 半导体处理期间的处理气体渐变

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