申请/专利权人：上海电子信息职业技术学院

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117945452A

主分类号：C01G5/00

分类号：C01G5/00;C02F1/30;B01J27/122;B01J35/39;C02F101/30;C02F101/36;C02F101/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种无铅卤化物CsAg1‑xCux2I3的制备及应用，属于发光材料领域。本发明制备了一种Cu+和Ag+掺杂的CsAg1‑xCux2I3无铅卤化物，制备方法为：首先将CsI，AgI和CuI溶解在N,N‑二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO混合溶剂中；在20～90℃下加热并搅拌6小时，使其完全溶解；接着，用甲醇进行滴定，当出现白色粉末时停止滴定；然后用过滤头进行过滤，将过滤后的透明溶液注入烧杯中，并用扎满小孔的锡纸和石蜡膜封住烧杯口；最后，将生长装置放入装有甲醇的密封大烧杯中，在40～80℃下保持2～7天，即可获得CsAg1‑xCux2I3晶体；所制备得到的CsAg1‑xCux2I3晶体可以应用于有机污染物的降解。

主权项：1.一种无铅卤化物CsAg1-xCux2I3的制备方法，其特征在于：具体制备步骤如下所述：1将CsI，AgI，CuI溶解在N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶剂中，在20～90℃下搅拌使溶质完全溶解，直到溶质完全溶解，得到混合溶液；2用甲醇对步骤1中得到的混合溶液进行滴定，当出现白色粉末时停止滴定；3用滤头对步骤2得到的混合溶液进行过滤，得到滤液；4将步骤3得到的滤液进行密封，得到生长装置；5将步骤4得到的生长装置放入装有甲醇的密封容器中，在40～80℃保持3天，得到CsAg1-xCux2I3晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海电子信息职业技术学院 一种无铅卤化物Cs(Ag_1-xCu_x)₂I₃的制备及应用

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