申请/专利权人：山东大学

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954955A

主分类号：H01S5/0233

分类号：H01S5/0233;H01S5/0235;H01S5/02212;H01S5/024

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明涉及一种新型碟片激光增益器件封接方法，属于碟片激光器封装技术领域，封接热沉选用具有高热导率的SiC和金刚石晶体衬底，封接过程通过亲水直接键合技术实现碟片激光增益器件与晶体热沉相结合，主要包括：介质插层制备、表面清洗、表面活化、预键合和热处理等步骤，工艺简单且成本较低；该直接键合过程工艺温度低至250℃，可以有效避免退火过程中工作介质热失效；该技术借助超薄介质插层实现界面成键，有效缓解不同材料之间的晶格失配，获得高质量键合界面且材料适用范围广；该技术通过调节热处理过程参数及垫片组合，在保证实现界面紧密结合的同时有效缓解多层膜界面的残余应力问题。

主权项：1.一种新型碟片激光增益器件封接方法，其特征在于，包括步骤如下：1介质插层制备；在晶体热沉键合面制备一层超薄介质插层，介质插层用于连接热沉和碟片增益器件；2表面清洗；3表面活化；4预键合；排除界面气泡；5热处理；使界面发生脱水反应，晶体热沉与碟片激光增益器件通过共价键实现高强度键合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种新型碟片激光增益器件封接方法

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