申请/专利权人：中国科学院物理研究所

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117949875A

主分类号：G01R33/032

分类号：G01R33/032;G01R23/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本公开提供了一种片上光力磁力仪。该片上光力磁力仪包括：激光器、磁场敏感元件和微腔耦合装置。激光器用于产生连续可调谐的激光；磁场敏感元件包括片上回音壁模式光学微腔、磁致伸缩薄膜和支撑结构，磁致伸缩薄膜沉积在片上回音壁模式光学微腔上，磁致伸缩薄膜为软磁材料制成；微腔耦合装置用于将一部分激光耦合至片上回音壁模式光学微腔内后再回到微腔耦合装置内，并与另一部分激光干涉并形成透射光场；磁致伸缩薄膜在外界磁场作用下发生形变，以使片上回音壁模式光学微腔的尺寸发生变化，从而使得片上回音壁模式光学微腔的光学共振频率发生移动，进而改变透射光场的信号，透射光场信号的变化用于表征外界磁场的强度。

主权项：1.一种片上光力磁力仪，包括：激光器，用于产生连续可调谐的激光；磁场敏感元件，包括片上回音壁模式光学微腔、磁致伸缩薄膜和支撑结构，所述磁致伸缩薄膜沉积在所述片上回音壁模式光学微腔上，所述磁致伸缩薄膜为软磁材料制成；微腔耦合装置，用于将一部分所述激光耦合至所述片上回音壁模式光学微腔内后再回到所述微腔耦合装置内，并与另一部分所述激光干涉并形成透射光场；其中，所述磁致伸缩薄膜在外界磁场作用下发生形变，以使所述片上回音壁模式光学微腔的尺寸发生变化，从而使得所述片上回音壁模式光学微腔的光学共振频率发生移动，进而改变所述透射光场的信号，所述透射光场信号的变化用于表征所述外界磁场的强度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院物理研究所 片上光力磁力仪及制备方法

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