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申请/专利权人：上海奎芯集成电路设计有限公司;合肥奎芯集成电路设计有限公司
申请日：2024-02-20
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117953949A
主分类号：G11C29/02
分类号：G11C29/02;G11C29/50
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明提供一种存储器系统及存储器PHY的校准方法，属于存储器技术领域，本发明的存储器系统，通过利用存储芯片内设置的片上终端电阻，存储器PHY在接收到第二校准命令后启动第一ZQ校准电路，第一ZQ校准电路从片上终端电阻获取目标阻值，并在存储器PHY内映射目标阻值来进行存储器PHY校准，可以节省存储器PHY校准时所需的片外电阻，可以节省出引脚，降低了大规模量产时的封装成本，并提高了芯片的面积利用率。
主权项：1.一种存储器系统，其特征在于，包括：存储器芯片以及存储器PHY；所述存储器PHY内设置有第一ZQ校准电路，所述存储器芯片内设置有第二ZQ校准电路；所述存储器芯片外设置有片外电阻与所述第二ZQ校准电路电连接，所述存储器芯片还包括片上终端电阻；所述存储器芯片用于在接收到第一校准命令后启动所述第二ZQ校准电路，所述第二ZQ校准电路基于所述片外电阻的阻值在所述片上终端电阻上映射目标阻值以进行校准；所述存储器PHY用于在接收到第二校准命令后启动所述第一ZQ校准电路，所述第一ZQ校准电路用于从所述片上终端电阻获取所述目标阻值，并在所述存储器PHY内映射所述目标阻值以进行校准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海奎芯集成电路设计有限公司;合肥奎芯集成电路设计有限公司 存储器系统及存储器PHY的校准方法
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