申请/专利权人：中国科学院福建物质结构研究所

申请日：2024-03-15

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117947514A

主分类号：C30B29/22

分类号：C30B29/22;C30B9/12;G02F1/355

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明涉及一种去除紫外吸收的K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体生长方法及其紫外四倍频器件，将高纯度含K、Ba、Li、Al、B、F化合物按照化学计量比进行预烧，然后与助熔剂体系K2O‑Li2O‑Ba5P6O20按照一定的配比混合后在晶体生长炉中采用顶部籽晶法生长晶体。该方法可以不仅能去除由于晶体中过渡金属杂质离子产生的紫外非本征吸收，而且进一步减少晶体内部缺陷，提高晶体光学质量，因此该晶体能用于制备Nd:YAG激光四倍频器件。

主权项：1.一种去除紫外吸收的K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1将含K、含Ba、含Li、含Al、含B和含F的化合物混合均匀并烧结得到K3Ba3Li2Al4B6O20F化合物，混合后的物料中K、Ba、Li、Al、B和F的摩尔比为3:3:2:4:6:1；2室温下，将步骤1得到的K3Ba3Li2Al4B6O20F化合物与由K2O、Li2O和Ba5P6O20组成的助熔剂体系混合均匀后置于铂金坩埚中，然后在加热炉中以2-5℃分钟的升温速率缓慢升温至400～600℃，并在400～600℃恒温10～20小时，接着以2-5℃分钟的速率升温至750～780℃直至熔化均匀后冷却至室温；其中K3Ba3Li2Al4B6O20F、K2O、Li2O和Ba5P6O20摩尔比为2:1～1.5:1～2:1～2；3将经过步骤2的坩埚置于晶体生长熔盐炉中，以2-5℃分钟的速率升温至750-780℃，然后搅拌24～48小时直至熔化均匀后冷却至室温；4将经过步骤2的坩埚置于密闭的晶体生长熔盐炉中，升温至730-750℃，然后保温10-12小时，接着降温至680.5-682℃；之后将经过抛光处理后的c向的K3Ba3Li2Al4B6O20F籽晶缓慢地接触到坩埚中的熔体表面，接着使K3Ba3Li2Al4B6O20F籽晶以转速为25～40转min旋转，并在680.5-682℃下恒温1～2天后，然后降温至680-681℃，并在此温度下继续恒温1～2天；5接着以0.1-2℃天的降温速率降温至665-670℃，在籽晶上得到高温的去除紫外吸收的K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体；6提升高温的去除紫外吸收的K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体，使晶体脱离液面，并以不大于10℃h的速率降温至室温，得到去除紫外吸收的K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体。

全文数据：

权利要求：

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