申请/专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司

申请日：2022-10-28

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954315A

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开一种移除栅极上硬掩模的方法，其包含提供一栅极电极，一硬掩模接触栅极电极的顶面，一第一氧化硅间隙壁、一第一氮化硅间隙壁、一第二氧化硅间隙壁和一虚置氮化硅间隙壁堆叠在栅极电极的侧壁和硬掩模的侧壁上，然后进行一蚀刻制作工艺，蚀刻制作工艺包含利用磷酸水溶液完全移除虚置氮化硅间隙壁和硬掩模，其中磷酸水溶液的氧化硅对氮化硅的蚀刻选择比介于1:600至1:700之间，在蚀刻制作工艺中至少部分的第二氧化硅间隙壁被保留，最后形成一第二氮化硅间隙壁接触第二氧化硅间隙壁。

主权项：1.一种移除栅极上硬掩模的方法，包含：提供栅极电极，硬掩模接触该栅极电极的顶面，第一氧化硅间隙壁、第一氮化硅间隙壁、第二氧化硅间隙壁和虚置氮化硅间隙壁由接近该栅极电极至远离该栅极电极的顺序依序堆叠在该栅极电极的侧壁和该硬掩模的侧壁上，其中该第一氧化硅间隙壁接触该栅极电极；进行蚀刻制作工艺，该蚀刻制作工艺包含利用磷酸水溶液完全移除该虚置氮化硅间隙壁和该硬掩模，其中该磷酸水溶液的氧化硅对氮化硅的蚀刻选择比介于1:600至1:700之间，在该蚀刻制作工艺中至少部分的该第二氧化硅间隙壁被保留；以及形成第二氮化硅间隙壁接触该第二氧化硅间隙壁。

全文数据：

权利要求：

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