申请/专利权人：华侨大学

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117956813A

主分类号：H10K30/80

分类号：H10K30/80;C23C14/30;C23C14/08;C23C28/00;H10K30/40;H10K30/50;H10K71/00;H10K39/15;C01G15/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明涉及光伏发电技术领域，具体公开了一种可减小接触电阻的溅射缓冲层及其钙钛矿硅叠层太阳能电池，其中溅射缓冲层材料为锡掺杂的氧化铟，通过将氧化铟、氧化锡按照质量比80‑100:10作为电子束蒸镀的材料，采用电子束蒸镀方法制备厚度15‑25nm的ITO薄膜所得。本发明的溅射缓冲层可以有效地降低钙钛矿硅叠层太阳能电池的接触电阻，从而提高电池的性能和稳定性；通过使用这种具有优化的缓冲层，电池的转换效率得到了显著提高。

主权项：1.一种可减小接触电阻的溅射缓冲层，其特征在于，所述溅射缓冲层材料为锡掺杂的氧化铟，所述溅射缓冲层是通过将质量比为80-100:10的氧化铟、氧化锡经电子束蒸镀制得厚度15-25nm的ITO薄膜所得。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华侨大学 一种可减小接触电阻的溅射缓冲层及其钙钛矿/硅叠层太阳能电池

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