申请/专利权人：一道新能源科技股份有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954520A

主分类号：H01L31/068

分类号：H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法池，其中，本发明实施例所提供的N型TOPCon电池包括N型硅衬底以及依次沉积于所述硅衬底背面的氧化硅层、掺杂多晶硅层及电极；所述掺杂多晶硅层的第一区域厚度小于第二区域厚度；其中，所述第一区域为所述掺杂多晶硅层中未被所述电极覆盖的区域，所述第二区域为所述掺杂多晶硅层中被电极覆盖的区域。本发明提供的N型TOPCon电池可以在不影响背场钝化前提下，有效降低寄生吸收。

主权项：1.一种N型TOPCon电池，其特征在于，包括N型硅衬底以及依次沉积于所述硅衬底背面的氧化硅层、掺杂多晶硅层及电极；所述掺杂多晶硅层的第一区域厚度小于第二区域厚度；其中，所述第一区域为所述掺杂多晶硅层中未被所述电极覆盖的区域，所述第二区域为所述掺杂多晶硅层中被电极覆盖的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 一道新能源科技股份有限公司 一种N型TOPCon电池及其制备方法

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