申请/专利权人：安徽三安光电有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954540A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及发光装置，发光二极管至少包括：第一外延层，包括第一n型层、第一p型层和位于第一n型层和第一p型层之间的第一有源层；第一隧穿层，位于所述第一外延层上；第二外延层，位于所述第一隧穿层上，包括第二n型层、第二p型层和位于第二n型层和第二p型层之间的第二有源层，其中，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度。本发明能增加空穴的注入，使有源层中空穴和电子分布更均匀，提升有效的辐射复合效率，进而提高发光二极管的发光效率。

主权项：1.发光二极管，其特征在于，至少包括：第一外延层，包括第一n型层、第一p型层和位于第一n型层和第一p型层之间的第一有源层；第一隧穿层，位于所述第一外延层上；第二外延层，位于所述第一隧穿层上，包括第二n型层、第二p型层和位于第二n型层和第二p型层之间的第二有源层，其中，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽三安光电有限公司 发光二极管及发光装置

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