申请/专利权人：艾克瑟尔西斯公司

申请日：2019-12-18

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117956803A

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B43/50;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/50

优先权：["20181222 US 62/784,424","20190709 US 16/506,277"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明题为“3DNAND高长径比串和沟道”。本公开的方面涉及形成完整的层堆叠。形成完整的层堆叠可以包括在第一基板上形成第一层堆叠以及在第二基板上形成第二层堆叠。第一层堆叠可以结合到第二层堆叠。可以去除第一基板或第二基板。在结合第一层堆叠和第二层堆叠之前，可以在第一层堆叠中蚀刻一个或多个孔。在去除第二基板之后，可以在第二层堆叠中蚀刻一个或多个孔，其中第二层堆叠中的一个或多个孔中的每一个延伸到第一层堆叠中的一个或多个孔中的对应孔中。

主权项：1.一种形成3DNAND存储器中的存储器单元堆叠的方法，所述方法包括：在第一基板上形成第一层堆叠，其中所述第一层堆叠中的至少一个层具有50nm或更小的厚度；在第二基板上形成第二层堆叠；将所述第一层堆叠结合到所述第二层堆叠以形成结合的堆叠；以及去除所述第一基板或所述第二基板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾克瑟尔西斯公司 3D NAND高长径比串和沟道

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