申请/专利权人：晶科能源(海宁)有限公司

申请日：2023-10-09

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954512A

主分类号：H01L31/0236

分类号：H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，太阳能电池包括：N型硅基底，N型硅基底具有相对的前表面和后表面；前表面具有多个金字塔结构；后表面具有多个凹槽，部分数量的凹槽沿同一方向依次排布，整个后表面除凹槽外的大部分表面所处的平面为水平面，凹槽相对于水平面凹陷，其中，沿远离后表面的方向上，凹槽具有顶部开口，顶部开口的一维尺寸为1um～20um；位于前表面上的前钝化层，前钝化层为单层或叠层结构；位于后表面上的隧穿介质层；位于穿介质层上的掺杂导电层以及位于掺杂导电层表面的背面钝化层。本申请实施例至少有利于通过改变N型硅基底后表面的形貌，以提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：N型硅基底，所述N型硅基底具有相对的前表面和后表面；所述前表面具有多个金字塔结构；所述后表面具有多个凹槽，部分数量的所述凹槽沿同一方向依次排布，整个所述后表面除所述凹槽外的大部分表面所处的平面为水平面，所述凹槽相对于所述水平面凹陷，其中，沿远离所述后表面的方向上，所述凹槽具有顶部开口，所述顶部开口的一维尺寸为1um～20um；位于所述前表面上的前钝化层，所述前钝化层为单层或叠层结构；位于所述后表面上的隧穿介质层；位于所述隧穿介质层上的掺杂导电层；以及位于所述掺杂导电层表面的背面钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及光伏组件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD