申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-04-14

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN113841249B

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;H01L21/3105;H10N70/20

优先权：["20190515 US 16/412,622"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要：一些实施例包含一种形成布置的方法。形成第一层以包含CMOS电路系统。形成第二层以包含组合件，所述组合件具有耦合区的相对侧上的第一组存储器单元及第二组存储器单元。支撑材料邻近于所述第一组所述存储器单元及所述第二组所述存储器单元，且中介材料邻近于所述支撑材料。所述支撑材料具有不同于所述中介材料的组合物。导电互连件延伸穿过所述中介材料。抛光所述组合件的上表面以减小所述组合件的总高度。所述支撑材料在所述抛光期间提供支撑以保护所述存储器单元在所述抛光期间免受侵蚀。所述第二层的所述导电互连件与所述第一层的所述CMOS电路系统耦合。一些实施例包含多层布置。

主权项：1.一种形成布置的方法，其包括：形成组合件，所述组合件沿横截面包括耦合区的一个侧上的第一组存储器单元及所述耦合区的相对侧上的第二组存储器单元；形成包括第一组合物的第一柱及包括所述第一组合物的第二柱，所述第一柱邻近于所述第一组存储器单元且所述第二柱邻近于所述第二组存储器单元；所述第一组合物完全在所述耦合区内，所述第一及第二柱由具有不同于所述第一组合物的第二组合物的中介绝缘材料彼此隔开；所述存储器单元在所述组合件内具有第一高度；所述第一柱及所述第二柱在所述组合件内具有大于或等于所述第一高度的第二高度；在所述耦合区内形成导电互连件且使其延伸穿过所述中介绝缘材料；所述导电互连件具有沿所述横截面的第一侧壁及第二侧壁，其中所述第一侧壁与所述第二侧壁呈相对关系；所述导电互连件的所述第一侧壁通过包含所述第一柱的第一区与所述存储器单元的所述第一组隔开，且所述导电互连件的所述第二侧壁通过包含所述第二柱的第二区与所述第二组存储器单元隔开；及使用一或多个抛光步骤抛光所述组合件的上表面以减小所述组合件的总高度；所述第一柱及所述第二柱在所述抛光期间提供支撑以保护所述第一组及所述第二组的所述存储器单元在所述抛光期间免受侵蚀。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 集成装置的多层布置以及抛光期间保护存储器单元的方法

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