申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2019-06-28

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN110287610B

主分类号：G06F30/39

分类号：G06F30/39

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2019.10.29#实质审查的生效;2019.09.27#公开

摘要：本发明公开了一种用于WAT离线量产产品工艺参数调整方法，包括：收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。本发明能去除量产测试中对参数的trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量调参，以此实现WAT时间的缩短。在现有工艺中，由于测试Trimming占WAT总时间的75％，本发明可以将WAT时间降低到原来的四分之一。

主权项：1.一种离线量产产品工艺参数调整方法，用于WAT，其特征在于，包括以下步骤：1收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；2通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；3量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定；4采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定，包括：从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。

全文数据：离线量产产品工艺参数调整方法及其调整系统技术领域本发明涉及半导体芯片生产领域，特别是涉及一种用于WAT使用的离线量产产品工艺参数调整方法。本发明还涉及一种用于WAT使用的离线量产产品工艺参数调整系统。背景技术WATWaferAcceptanceTest，晶片允收测试：半导体晶片在完成所有制程工艺后，针对晶片上的各种测试结构所进行的电性测试。通过对晶片允收测试WAT数据的分析，可以发现半导体制程工艺中的问题，帮助制程工艺进行调整。目前为了降低晶片生产成本，往往会在晶片制造后通过对特殊电路参数设定，进行Trimming调参来提高产品的精度来弥补工艺制造中的误差。但这个过程需要在测试中不断反复地调整测量最终找到最佳值。这个过程本身比较耗时，而且每个芯片参数值不同给量产同测带来麻烦，这样也会导致量产测试成本的提高，造成Trimming调参周期长，效率低的问题。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种用于WAT，能去除参数Trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量Trimming的离线量产产品工艺参数调整方法。本发明还提供了一种用于WAT，能去除参数Trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量Trimming的离线量产产品工艺参数调整系统。为解决上述技术问题，本发明提供用于WAT的离线量产产品工艺参数调整方法，包括以下步骤：1收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；2通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；3量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整方法，还包括以下步骤：4采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整方法，实施步骤4时，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整方法，采用以下方式计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数；a收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：a11x2+a22y2+2a12xy+2a13x+2a23y+a33＝z；a11、a22、a12、a13、a23、a33为平面函数的系数，X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；b对每个参数带入WAT实测数据建立该工艺参数的误差函数：δ为总的误差,N为样本行列总数,i为取样的行数,j为取样的列数,X、Y为各个样本点的硅片上坐标，a0、a1、a2、a3、a4、a5为平面函数系数,a0＝a33、a1＝a13、a2＝a23、a3＝a11、a4＝a12、a5＝a22,Zi,j为各个样本点的实际工艺参数值；c求出误差最小时的常数；误差最小是以误差为0代入计算获得误差最小时的常数，误差最小是以误差为0代入计算获得误差最小时的常数，即误差为最小值时a0、a1、a2、a3、a4、a5求偏导等于零。d按照实际值误差最小为原则，选取每个工艺参数误差最小的点，将误差最小的点通过多点参数拟合，计算获得每个工艺参数独立的二次曲面函数作为该工艺参数的拟合平面函数。本发明提供一种离线量产产品工艺参数调整系统，用于WAT系统，包括：数据采集模块，其收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据；计算模块，根据数据采集模块采集的数据计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数，并通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；补正查询模块，通过查询补正表格将获得对应参数补正设定。进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整系统，还包括：校验模块，收集采用补正设定进行量产产品的实测数据，利用量产产品实测数据进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整系统，校验模块，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整系统，计算模块采用以下方式计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数；a收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：a11x2+a22y2+2a12xy+2a13x+2a23y+a33＝z；a11、a22、a12、a13、a23、a33为平面函数的系数,X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；b对每个参数带入WAT实测数据建立该工艺参数的误差函数：；δ为总的误差,N为样本行列总数,i为取样的行数,j为取样的列数,X、Y为各个样本点的硅片上坐标，a0、a1、a2、a3、a4、a5为平面函数系数,a0＝a33、a1＝a13、a2＝a23、a3＝a11、a4＝a12、a5＝a22,Zi,j为各个样本点的实际工艺参数值；c求出误差最小时的常数，误差最小是以误差为0代入计算获得误差最小时的常数，即误差为最小值时a0、a1、a2、a3、a4、a5求偏导等于零；d按照实际值与计算值误差最小为原则，选取每个工艺参数误差最小的点，将误差最小的点通过多点参数拟合，计算获得每个工艺参数独立的二次曲面函数作为该工艺参数的拟合平面函数。本发明通过收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数,进而形成具有该晶片全片所有芯片补正值的补正表格。量产测试时查询补正表格即能将对应参数进行补正设定，再经过实测校验和筛选，去除无法满足晶片允收测试WAT的补正设定，进一步完善补正值的补正表格，达到离线补正计算的目的。本发明能去除量产测试中对参数的trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量调参，以此实现WAT时间的缩短。在现有工艺中，由于测试Trimming调参占WAT总时间的75％，通过本发明可以将WAT时间降低到原来的四分之一。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：图1是WAT测试图形WATTESTKEY的结构示意图。图2是二次曲面函数示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明提供用于晶片允收量产测试WAT的离线量产产品工艺参数调整方法第一实施例，包括以下步骤：1收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；2通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；3量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。本发明提供用于晶片允收量产测试WAT的离线量产产品工艺参数调整方法第二实施例，包括以下步骤：1收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；2通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；3量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整方法，还包括以下步骤：4采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。其中，实施步骤4时，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。本发明提供计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数一可行实施例，包括以下步骤；a收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：a11x2+a22y2+2a12xy+2a13x+2a23y+a33＝z；a11、a22、a12、a13、a23、a33为平面函数的系数，通过多点数据采集计算得出的结果，参考下述a0、a1、a2、a3、a4、a5的计算矩阵，X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；b对每个参数带入WAT实测数据建立该工艺参数的误差函数：δ为总的误差,N为样本行列总数,i为取样的行数,j为取样的列数,X、Y为各个样本点的硅片上坐标，a0、a1、a2、a3、a4、a5为平面函数系数,a0＝a33、a1＝a13、a2＝a23、a3＝a11、a4＝a12、a5＝a22,Zi,j为各个样本点的实际工艺参数值；c求出误差最小时的常数，误差最小是以误差为0代入计算获得误差最小时的常数，即误差为最小值时a0、a1、a2、a3、a4、a5求偏导等于零；d按照实际值误差最小为原则，选取每个工艺参数误差最小的点，将误差最小的点通过多点参数拟合，计算获得每个工艺参数独立的二次曲面函数作为该工艺参数的拟合平面函数。本发明提供一种用于WAT系统的离线量产产品工艺参数调整系统第一实施例，包括：数据采集模块，其收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据；计算模块，根据数据采集模块采集的数据计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数，并通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；补正查询模块，通过查询补正表格将获得对应参数补正设定。本发明提供一种用于WAT系统的离线量产产品工艺参数调整系统第二实施例，包括：数据采集模块，其收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据；计算模块，根据数据采集模块采集的数据计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数，并通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；补正查询模块，通过查询补正表格将获得对应参数补正设定；校验模块，收集采用补正设定进行量产产品的实测数据，利用量产产品实测数据进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。其中，校验模块，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。本发明提供计算模块计算每个工艺参数的拟合平面函数一可行实施例，采用以下方式计算每个工艺参数的拟合平面函数；a收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：a11x2+a22y2+2a12xy+2a13x+2a23y+a33＝z；a11、a22、a12、a13、a23、a33为平面函数的系数，通过多点数据采集计算得出的结果，参考下述a0、a1、a2、a3、a4、a5的计算矩阵，X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；b对每个参数带入WAT实测数据建立该工艺参数的误差函数：δ为总的误差,N为样本行列总数,i为取样的行数,j为取样的列数,X、Y为各个样本点的硅片上坐标，a0、a1、a2、a3、a4、a5为平面函数系数,a0＝a33、a1＝a13、a2＝a23、a3＝a11、a4＝a12、a5＝a22,Zi,j为各个样本点的实际工艺参数值；c求出误差最小时的常数，误差最小是以误差为0代入计算获得误差最小时的常数，即误差为最小值时a0、a1、a2、a3、a4、a5求偏导等于零；d按照实际值与计算值误差最小为原则，选取每个工艺参数误差最小的点，将误差最小的点通过多点参数拟合，计算获得每个工艺参数独立的二次曲面函数作为该工艺参数的拟合平面函数。以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

权利要求：1.一种离线量产产品工艺参数调整方法，用于WAT，其特征在于，包括以下步骤：1收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；2通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；3量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。2.如权利要求1所述的离线量产产品工艺参数调整方法，其特征在于，还包括以下步骤：4采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。3.如权利要求1所述的离线量产产品工艺参数调整方法，其特征在于：实施步骤4时，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。4.如权利要求1所述的离线量产产品工艺参数调整方法，其特征在于：采用以下方式计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数；a收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：a11x2+a22y2+2a12xy+2a13x+2a23y+a33＝z；a11、a22、a12、a13、a23、a33为平面函数的系数，X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；b对每个参数带入WAT实测数据建立该工艺参数的误差函数：δ为总的误差,N为样本行列总数,i为取样的行数,j为取样的列数,X、Y为各个样本点的硅片上坐标，a0、a1、a2、a3、a4、a5为平面函数系数,a0＝a33、a1＝a13、a2＝a23、a3＝a11、a4＝a12、a5＝a22,Zi,j为各个样本点的实际工艺参数值；c求出误差最小时的常数；d按晶片测试图形每个工艺参数的WAT实测数据与通过平面函数计算所得到的WAT值误差最小为原则，选取每个工艺参数误差最小的点，将误差最小的点通过多点参数拟合，计算获得每个工艺参数独立的二次曲面函数作为该工艺参数的拟合平面函数。5.一种离线量产产品工艺参数调整系统，用于WAT系统，其特征在于，包括：数据采集模块，其收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据；计算模块，根据数据采集模块采集的数据计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数，并通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；补正查询模块，通过查询补正表格将获得对应参数补正设定。6.如权利要求5所述的离线量产产品工艺参数调整系统，其特征在于，还包括：校验模块，收集采用补正设定进行量产产品的实测数据，利用量产产品实测数据进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。7.如权利要求6所述的离线量产产品工艺参数调整系统，其特征在于：校验模块，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。8.如权利要求5所述的离线量产产品工艺参数调整系统，其特征在于：计算模块采用以下方式计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数；a收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：a11x2+a22y2+2a12xy+2a13x+2a23y+a33＝z；a11、a22、a12、a13、a23、a33为平面函数的系数,X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；b对每个参数带入WAT实测数据建立该工艺参数的误差函数：δ为总的误差,N为样本行列总数,i为取样的行数,j为取样的列数,X、Y为各个样本点的硅片上坐标，a0、a1、a2、a3、a4、a5为平面函数系数,a0＝a33、a1＝a13、a2＝a23、a3＝a11、a4＝a12、a5＝a22,Zi,j为各个样本点的实际工艺参数值；c求出误差最小时的常数，误差为最小值时a0、a1、a2、a3、a4、a5求偏导等于零；d按照实际值与计算值误差最小为原则，选取每个工艺参数误差最小的点，将误差最小的点通过多点参数拟合，计算获得每个工艺参数独立的二次曲面函数作为该工艺参数的拟合平面函数。

百度查询： 上海华力微电子有限公司 离线量产产品工艺参数调整方法及其调整系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD