买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明授权】电子设备_株式会社半导体能源研究所_202210252738.1 

申请/专利权人:株式会社半导体能源研究所

申请日:2017-07-07

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN114609885B

主分类号:G04B37/18

分类号:G04B37/18;G04G17/08

优先权:["20160708 JP 2016-135870"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.30#授权;2022.06.28#实质审查的生效;2022.06.10#公开

摘要:提供一种方便性高的电子设备。提供一种使用者可以容易地读出显示信息的电子设备。减少使用者为了读取信息所进行的动作。电子设备所具有的框体包括:位于框体的正面的第一部分;位于框体的侧面的第二部分;第一表带安装部及第二表带安装部。第二部分具有显示图像的功能。第一表带安装部位于从框体的正面一侧看位于上侧的侧面。第二部分与第二表带安装部位于从框体的正面一侧看位于下侧的侧面。第一部分具有显示图像的功能或者至少具有时针、分针、秒针中的一个。

主权项:1.一种电子设备,具有:框体,其具有透光构件;以及显示装置,所述透光构件部分弯曲,所述显示装置具有以沿着所述透光构件的弯曲的区域的方式配置的区域,所述显示装置配置在所述框体的内部,其中,所述显示装置具有:第一半导体层;所述第一半导体层上的第一绝缘层;所述第一绝缘层上的第一导电层;所述第一导电层上的第二绝缘层;所述第二绝缘层上的第二导电层;所述第二导电层上的第三绝缘层;所述第三绝缘层上的第二半导体层;所述第二半导体层上的第四绝缘层;所述第四绝缘层上的第三导电层;所述第三导电层上的第五绝缘层;所述第五绝缘层上的第四导电层;所述第四导电层上的第六绝缘层;以及所述第六绝缘层上的第五导电层,所述第一半导体层具有第一晶体管的沟道形成区,所述第一绝缘层作为所述第一晶体管的栅极绝缘层发挥功能,所述第一导电层作为所述第一晶体管的栅电极发挥功能,所述第二绝缘层作为第一层间绝缘层发挥功能,所述第二导电层具有与所述第一晶体管的源极或漏极电连接、且作为第二晶体管的第一栅电极发挥功能的区域,所述第三绝缘层作为所述第二晶体管的第一栅极绝缘层发挥功能,所述第二半导体层具有所述第二晶体管的沟道形成区,所述第四绝缘层作为所述第二晶体管的第二栅极绝缘层发挥功能,所述第三导电层作为所述第二晶体管的第二栅电极发挥功能,所述第五绝缘层作为第二层间绝缘层发挥功能,所述第二晶体管的源极或漏极经由所述第四导电层与所述第五导电层电连接,所述第五导电层作为发光元件的像素电极发挥功能,所述第三导电层与所述第二导电层电连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社半导体能源研究所 电子设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。