申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2019-02-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN111613533B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/167;H01L29/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2021.11.23#专利申请权的转移;2021.08.06#实质审查的生效;2021.06.25#著录事项变更;2020.09.01#公开

摘要：本发明公开了一种制作非对称低中压器件的方法及非对称低中压器件，其中方法包括：在非对称低中压器件的衬底区形成N阱和P阱；在N阱上方的衬底区的上表面制作闸极，闸极与P阱无重合区域；从P阱上方的衬底区的上表面打开窗口，并大角度注入第一掺杂离子形成第一掺杂区；从P阱上方的衬底区的上表面以小角度注入第二掺杂离子至第一掺杂区内形成第二掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区在横向上的间隔形成沟道。本发明通过在第一掺杂区和第二掺杂区间形成的沟道，与传统的非对称低中压器件中的沟道相比，沟通长度变短，有效地降低了导通电阻。

主权项：1.一种制作非对称低中压器件的方法，其特征在于，所述方法包括：在非对称低中压器件的衬底区形成N阱和P阱；在所述N阱上方的所述衬底区的上表面制作闸极，所述闸极与所述P阱无重合区域；从所述P阱上方的所述衬底区的上表面打开窗口，并大角度注入第一掺杂离子形成第一掺杂区；从所述P阱上方的所述衬底区的上表面以小角度注入第二掺杂离子至所述第一掺杂区内形成第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在横向上的间隔形成沟道；所述第一掺杂离子为硼离子；所述第二掺杂离子为砷离子；在所述大角度注入第一掺杂离子以形成沟道的步骤中，所述大角度注入的角度范围为27~33度；所述小角度注入的角度范围为0~10度。

全文数据：

权利要求：

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