申请/专利权人：HOYA株式会社

申请日：2019-05-08

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN112189167B

主分类号：G03F1/32

分类号：G03F1/32;G03F1/58;G03F7/20

优先权：["20180530 JP 2018-103482"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.03#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜2包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层21及第2层22的结构，第1层21与透光性基板1的表面相接地设置，将第1层21及第2层22在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将第1层21及第2层22在上述曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2时，满足k1＜k2的关系，将第1层21及第2层22的膜厚分别设为d1、d2时，满足d1＜d2的关系。

主权项：1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜包含从所述透光性基板侧起依次层叠有第1层及第2层的结构，所述第1层与所述透光性基板的表面相接地设置，将所述第1层及所述第2层在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将所述第1层及所述第2层在所述曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2时，满足k1＜k2的关系，将所述第1层及所述第2层的膜厚分别设为d1、d2时，满足d1＜d2的关系，所述第1层的膜厚d1大于10nm且小于33nm，所述第2层的膜厚为d2为33nm以上且50nm以下，所述第1层的折射率n1为1.8以上且小于2.2，所述第1层的消光系数k1为0.05以上且0.15以下，所述第2层的折射率n2为2.2以上且3.0以下，所述第2层的消光系数k2为0.2以上且0.5以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： HOYA株式会社 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法

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