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一种铟柱的制备方法 

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申请/专利权人:中航凯迈(上海)红外科技有限公司

摘要:本发明公开一种铟柱的制备方法,其包括以下步骤:在待制备铟柱的芯片表面采用常规的光刻显影工艺制备铟柱沉积孔;在芯片表面沉积金属铟和磁性物质,形成铟膜层,并在所述沉积孔内形成铟柱;将沉积好铟膜的芯片完全浸没在处于磁场环境的去胶溶液中浸泡,去除光刻胶层;利用粘性贴片粘附剥离或者利用超声波辅助剥离芯片上的铟层。本发明能够避免多余的铟随机飘动粘附在芯片表面,提高铟柱的成品率,有效提高铟柱形貌质量。

主权项:1.一种铟柱的制备方法,其特征是:其包括以下步骤:S1、在待制备铟柱的芯片表面采用常规的光刻显影工艺制备铟柱沉积孔;S2、在步骤S1中得到的芯片表面沉积金属铟和磁性物质,形成铟膜层,并在所述沉积孔内形成铟柱;S3、将步骤S2中得到的沉积好铟膜的芯片完全浸没在处于磁场环境的去胶溶液中浸泡,去除光刻胶层;S4、利用粘性贴片粘附剥离或者利用超声波辅助剥离步骤S3中得到的芯片上的铟层。

全文数据:

权利要求:

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