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申请/专利权人:厦门通富微电子有限公司
摘要:本公开实施例提供一种晶圆切割方法及晶粒,该方法包括:提供晶圆和遮挡环,晶圆的边缘区域具有预设固定区域;在晶圆的第一表面形成正性光刻胶层;将遮挡环放置于正性光刻胶层,遮挡环的位置与预设固定区域的位置相对应;对正性光刻胶层进行曝光;去除遮挡环;对曝光后的正性光刻胶层进行显影,图形化正性光刻胶层;采用等离子切割工艺对晶圆进行切割,以在晶圆上形成多个切割槽;去除正性光刻胶层,并对切割后的晶圆进行减薄和扩膜形成多个晶粒。由于遮挡环遮挡区域的正性光刻胶层未被曝光,显影后可完整的保留在晶圆的预设固定区域,可以在等离子切割过程中对预设固定区域起到保护作用而不被切割,保证了晶圆边缘区域的强度,提高晶圆切割效果。
主权项:1.一种晶圆切割方法,其特征在于,所述方法包括:提供晶圆和遮挡环,其中,所述晶圆的边缘区域具有预设固定区域;在所述晶圆的第一表面形成正性光刻胶层;将所述遮挡环放置于所述正性光刻胶层,其中,所述遮挡环的位置与所述预设固定区域的位置相对应;对所述正性光刻胶层进行曝光;去除所述遮挡环;对曝光后的所述正性光刻胶层进行显影,以图形化所述正性光刻胶层;采用等离子切割工艺对所述晶圆进行切割,以在所述晶圆上形成多个切割槽;去除所述正性光刻胶层,并对切割后的所述晶圆进行减薄和扩膜,以形成多个晶粒。
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百度查询: 厦门通富微电子有限公司 晶圆切割方法及晶粒
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