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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种金属互联方法及金属互联结构，在形成的第二凹槽中预填充低电阻率的纯金属材料形成第二金属结构，去除高电阻率的第二凹槽侧壁的阻挡层，进而改善第二凹槽结构因侧壁的阻挡层导致的高电阻问题，并且在形成的第一凹槽内壁的与所述第二凹槽的第二金属结构相接界面以外的部分形成金属碳氮化合物的阻挡层，去除了第二凹槽结构顶部与所述第一凹槽相接界面的阻挡层，进而改善了第二凹槽结构因顶部的阻挡层导致的高电阻问题。通过去除第二凹槽结构侧壁以及顶部的阻挡层，实现了金属互联结构中第二凹槽无阻挡层纯金属填充，并实现第一凹槽结构与第二凹槽结构无阻挡层连通，大大降低了第二凹槽结构的整体的电阻，改善了器件的性能。
主权项：1.一种金属互联方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上刻蚀形成第一凹槽以及位于所述第一凹槽的底壁下方的第二凹槽；在所述第二凹槽内形成第二金属结构，所述第二金属结构的顶面突出于所述第一凹槽的底壁；在所述第一凹槽的内壁形成金属碳氮化合物的阻挡层，所述阻挡层环绕所述第二金属结构并暴露出所述第二金属结构的顶面；在所述第一凹槽内形成第一金属结构，所述第一金属结构与所述第二金属结构相接触。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 金属互联方法及金属互联结构
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