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申请/专利权人：科磊股份有限公司
申请日：2022-12-19
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118020028A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20;G01B11/27
优先权：["20220125 US 17/584,335"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.10#公开
摘要：使用具有变迹器的系统对半导体晶片执行计量。在所述半导体晶片上形成具有从2nm到5nm的直径的光斑。相关联光束具有从400nm到800nm的波长。小目标测量可在光学波长范围下执行。
主权项：1.一种方法，其包括：产生具有从400nm到800nm的波长的光束；将所述光束引导通过变迹器；及使用所述光束对半导体晶片执行计量，其中所述光束使用所述变迹器在所述半导体晶片上形成具有从2nm到5nm的直径的光斑。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 科磊股份有限公司 用于小目标叠加测量的环形变迹器
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