申请/专利权人：深圳市亿方电子有限公司

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN118012207A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要：本发明提出了一种高电源抑制比参考电压集成电路，包括一级电压稳定电路和参考电压产生电路；本发明通过两级电压稳定电路及叠加电路结构，使电路所输出的参考电压具有较高的电源抑制比；本发明中的一级电压稳定电路输出具有高电源抑制比的电压到参考电压产生电路中；参考电压产生电路以一级电压稳定电路所输出的电压作为工作电压，基于其包含的二级稳压电路结构和叠加电路结构，进一步提高所输出的参考电压的电源抑制比，同时对所输出的参考电压的温度曲率进行补偿。

主权项：1.一种高电源抑制比参考电压集成电路，其特征在于，包括一级电压稳定电路（1）和参考电压产生电路（2）；一级电压稳定电路（1）与参考电压产生电路（2）相连接；一级电压稳定电路（1）接受电源电压VDD供电，并基于其电路结构对电源电压VDD进行稳压处理，输出具有高电源抑制比的电压到参考电压产生电路（2）中；参考电压产生电路（2）以一级电压稳定电路（1）所输出的电压作为工作电压，基于稳压电路结构和叠加电路结构进一步提高所输出的参考电压的电源抑制比，同时对所输出的参考电压的温度曲率进行补偿。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市亿方电子有限公司 一种高电源抑制比参考电压集成电路

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