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申请/专利权人：合肥工业大学
申请日：2024-02-17
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048547A
主分类号：C22C1/059
分类号：C22C1/059;B22F9/22;B22F3/02;B22F3/10;C22C27/04;C01G27/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：一种掺杂HfO2的高性能W‑Cu复合材料的制备方法，涉及稀土氧化物掺杂W‑Cu复合材料制备技术领域。首先利用湿化学法并通过添加草酸作为沉淀剂使前驱体溶液处于酸性环境，使得草酸与偏钨酸铵、三水合硝酸铜和四氯化铪充分反应，进而改善喷雾干燥技术制备的球壳状前驱体性能，有利于提高氢气还原后W‑Cu复合粉体的成分均匀性，在氢气还原过程中成功将HfO2第二相颗粒弥散分布均匀地引入W‑Cu复合粉末中；然后通过高温氢气烧结，促使细小HfO2颗粒充分均匀分布在W‑Cu复合材料，从而有效抑制了W颗粒表面和WCu界面间隙中W颗粒的团聚长大现象，降低了W‑W的连通性，使得制备的W‑Cu复合材料表现出较高的综合性能。
主权项：1.一种掺杂HfO2的高性能W-Cu复合材料的制备方法，其特征在于，首先利用湿化学法并通过添加草酸作为沉淀剂使前驱体溶液处于酸性环境，使得草酸与偏钨酸铵、三水合硝酸铜和四氯化铪充分反应，进而改善喷雾干燥技术制备的球壳状前驱体性能，有利于提高氢气还原后W-Cu复合粉体的成分均匀性，在氢气还原过程中成功将HfO2第二相颗粒弥散分布均匀地引入W-Cu复合粉末中；然后通过高温氢气烧结，促使细小HfO2颗粒充分均匀分布在W-Cu复合材料，从而有效抑制了W颗粒表面和WCu界面间隙中W颗粒的团聚长大现象，降低了W-W的连通性，使得制备的W-Cu复合材料表现出较高的综合性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥工业大学 一种掺杂HfO2的高性能W-Cu复合材料的制备方法
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