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申请/专利权人：AMS-欧司朗国际有限公司
申请日：2022-09-06
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118056335A
主分类号：H01S5/028
分类号：H01S5/028;H01S5/10;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/40;H01S5/02;H01S5/323
优先权：["20210928 DE 102021125119.2"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：提出一种具有以下特征的边缘发射的半导体激光二极管：‑外延半导体层堆叠14，所述外延半导体层堆叠包括有源区15，在运行中在所述有源区中产生电磁辐射，其中‑外延半导体层堆叠14具有至少一个刻面12，所述至少一个刻面对外延半导体层堆叠14横向限界，并且‑刻面12具有至少一个第一子面10和至少一个第二子面11，所述至少一个第一子面和所述至少一个第二子面对于在有源区15中产生的电磁辐射具有彼此不同的反射率。此外，提出一种用于制造多个边缘发射的半导体激光二极管的方法。
主权项：1.一种边缘发射的半导体激光二极管，具有：-外延半导体层堆叠14，所述外延半导体层堆叠包括有源区15，在运行中在所述有源区中产生电磁辐射，其中-所述外延半导体层堆叠14具有至少一个刻面12，所述至少一个刻面对所述外延半导体层堆叠14横向限界，-所述刻面12具有至少一个第一子面10和至少一个第二子面11，所述至少一个第一子面和所述至少一个第二子面对于在所述有源区15中产生的电磁辐射具有彼此不同的反射率，-与所述第二子面相比，所述第一子面对于所述有源区的电磁辐射具有更大的反射率，-所述第一子面促进谐振器中的电磁激光辐射的期望模态的增强，并且-所述第二子面促进所述谐振器中的电磁激光辐射的不期望模态的衰减。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AMS-欧司朗国际有限公司 边缘发射的半导体激光二极管和用于制造多个边缘发射的半导体激光二极管的方法
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