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申请/专利权人：矽磐微电子(重庆)有限公司
申请日：2022-11-17
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053765A
主分类号：H01L21/50
分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L25/16;H01L23/31
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种半导体封装方法及封装结构，第一间隔层通过键合工艺形成于载板上，由此，既能够保证所述第一间隔层和所述载板之间的可靠连接，以使所述载板为所述第一间隔层提供稳定的支撑力，同时还能便于后续两者之间的分离，保证分离后的所述第一间隔层和所述载板具备高质量与高可靠性；进一步的，由此所形成的半导体封装结构也能够具备高质量与高可靠性。
主权项：1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：提供载板，通过键合工艺在所述载板上形成第一间隔层；在所述第一间隔层上形成第一线路层；在所述第一线路层上贴合第一器件；以及，形成第一封装层，所述第一封装层覆盖所述第一器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽磐微电子(重庆)有限公司 半导体封装方法及封装结构
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