龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日：2023-11-16
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053895A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L27/06
优先权：["20221116 EP 22207894.1"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：提供了半导体器件。在实施例中，半导体器件包括第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底包括第一表面。第一器件区形成在半导体衬底中并具有第一导电类型。第一器件区具有小于半导体衬底的第一表面的横向范围的横向范围。第一器件区通过隔离结构与半导体衬底电分离。隔离结构包括用与第一导电类型相反的第二导电类型掺杂的掩埋层，并且还包括第二导电类型的第一细长下沉区。第一细长下沉区从第一表面延伸到半导体衬底中，并且与掩埋层电接触。半导体器件还包括第二导电类型的击穿电压影响结构，该击穿电压影响结构布置在半导体衬底中并且横向邻近掩埋层。
主权项：1.一种半导体器件10，包括：包括第一表面12的第一导电类型的半导体衬底11；第一器件区13，形成在半导体衬底11中并且具有第一导电类型，其中第一器件区13具有小于半导体衬底11的第一表面12的横向范围的横向范围，并且通过隔离结构14与半导体衬底11电分离；其中隔离结构14包括利用与第一导电类型相反的第二导电类型来掺杂的掩埋层15，和从第一表面延伸到半导体衬底11中并且与掩埋层15电接触的第二导电类型的第一细长下沉区16；第二导电类型的击穿电压影响结构18，其布置在半导体衬底11中并且横向邻近掩埋层15。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技德累斯顿公司 半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号