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申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053928A
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/05
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：位于基底相对两侧的第一掺杂多晶硅层的第二掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层内掺杂有N型掺杂元素，第二掺杂多晶硅层内掺杂有P型掺杂元素，第一掺杂多晶硅层的表面具有第一粗糙度，第二掺杂多晶硅层的表面具有第二粗糙度，第一粗糙度大于第一粗糙度；第一电极，第一电极贯穿第一钝化层与第一掺杂多晶硅层电连接，第二电极贯穿第二钝化层与第二掺杂多晶硅层电连接。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件可以提高太阳能电池的光电转换效率。
主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一面以及第二面；层叠的第一介质层和第一掺杂多晶硅层，所述第一介质层位于所述第一面，所述第一掺杂多晶硅层位于所述第一介质层表面，所述第一掺杂多晶硅层掺杂有N型掺杂元素；所述第一掺杂多晶硅层远离所述第一介质层的表面具有第一粗糙度；层叠的第二介质层和第二掺杂多晶硅层，所述第二介质层位于所述第二面，所述第二掺杂多晶硅层位于所述第二介质层表面，所述第二掺杂多晶硅层掺杂有P型掺杂元素；其中，所述第二掺杂多晶硅层远离所述第二介质层的表面具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度；第一钝化层以及第二钝化层，所述第一钝化层覆盖所述第一掺杂多晶硅层的表面，所述第二钝化层覆盖所述第二掺杂多晶硅层的表面；第一电极和第二电极，所述第一电极贯穿所述第一钝化层与所述第一掺杂多晶硅层电连接，所述第二电极贯穿所述第二钝化层与所述第二掺杂多晶硅层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 太阳能电池及光伏组件
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