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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日：2023-12-21
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053912A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L21/34;H10B12/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、存储器及其制备方法。该薄膜晶体管包含在源极和漏极之间设置隔离介质层，同时该隔离介质层与沟道之间还具备第一方向的部分重叠，相较于传统的沟道上方设置钝化层方式，本申请设计的隔离介质层能够有效降低器件关闭状态下的大部分电子迁移概率，从而起到明显降低漏电流及功耗的技术效果。
主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于：包括：沿第一方向叠置的：衬底；栅极：位于所述衬底表面；隔离层：包覆所述栅极；源极和漏极；沟道：设于所述隔离层与所述源极和漏极之间；所述源极、所述漏极位于所述沟道背离所述衬底的表面；还包括隔离介质层，所述隔离介质层位于所述源极和所述漏极之间，沿所述第一方向，所述隔离介质层与所述沟道之间具备部分重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 薄膜晶体管、存储器及其制备方法
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