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申请/专利权人：中国原子能科学研究院
申请日：2024-01-04
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118050773A
主分类号：G01T3/00
分类号：G01T3/00;G01R31/00;G06F30/25;G06F111/08
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及基于重离子和质子数据预测大气中子SEE错误率的方法，通过开展重离子SEE试验，获取电子器件的重离子SEE截面；开展质子SEE试验，获取质子SEE截面；模拟得到质子与硅核反应产物的LET谱，结合电子器件的重离子和质子SEE截面，确定等效厚度t′；对中子与硅核反应进行模拟得到中子与硅核反应产物LET谱，结合重离子SEE截面、中子与硅核反应产物LET谱和等效厚度t′对中子SEE截面进行预测；结合大气中子能谱和中子SEE截面对大气中子SEE错误率进行预测。本发明中公开的方法，仅通过实验获得的重离子和质子的SEE截面，即可预测大气中子SEE错误率，并且得到的错误率预测结果比传统方法更为简单可靠。
主权项：1.基于重离子和质子数据预测大气中子SEE错误率的方法，所述方法包括以下步骤：S1、开展电子器件的重离子SEE试验，获取其重离子SEE截面，并对重离子SEE截面与重离子的LET值之间的关系进行Weibull拟合；S2、开展电子器件的质子SEE试验，选取多种不同能量的质子对电子器件进行辐照，获取电子器件的质子SEE截面；S3、对质子与硅核反应进行蒙特卡罗模拟，得到不同能量质子与硅核反应产物的LET谱；S4、基于电子器件的重离子SEE截面和模拟计算出的不同能量质子与硅核反应产物的LET谱对质子SEE截面进行预测，确定使得预测结果与实验最为吻合的等效厚度t′；S5、对中子与硅核反应进行蒙特卡罗模拟，得到不同中子能量处的中子与硅核反应产物LET谱；S6、基于电子器件的重离子SEE截面、模拟计算出的不同中子能量处的中子与硅核反应产物LET谱和等效厚度t′对中子SEE截面进行预测；S7、结合中子SEE截面和大气中子能谱对大气中子SEE错误率进行预测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国原子能科学研究院 基于重离子和质子数据预测大气中子SEE错误率的方法
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