申请/专利权人:中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日:2022-11-10
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118053786A
主分类号:H01L21/67
分类号:H01L21/67;H01J37/32
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本发明公开了一种上电极环、上电极组件和刻蚀设备,上电极环包括工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽;所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通,所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面,所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。本发明能够在晶圆的边缘区域流入均匀的工艺气体,所述工艺气体在被电离后形成均匀的等离子体以刻蚀晶圆的边缘、背面及斜面的沉积物,提高边缘刻蚀的精度。
主权项:1.一种用于边缘刻蚀的上电极环,其特征在于,包括:工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽;所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通,所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面,所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种用于边缘刻蚀的上电极环、上电极组件及刻蚀设备
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