龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-04-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053806A
主分类号：H01L21/762
分类号：H01L21/762;H01L21/763
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种导线型深沟槽隔离结构及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在掺杂衬底上形成深沟槽，该深沟槽底部连通衬底，在深沟槽的侧壁形成有内衬氧化层；向深沟槽底部进行离子注入，该离子注入类型与掺杂衬底的掺杂类型相同；进行第一次填充，具体为向深沟槽内填充第一层未掺杂多晶硅，在第一层未掺杂多晶硅上再沉积掺杂玻璃薄膜，并进行退火，掺杂元素向第一层未掺杂多晶硅中扩散；扩散完成后，去除全部的掺杂玻璃薄膜；以相同的方法重复进行多次填充，直到在深沟槽内形成完整的多晶硅柱。本发明可以在深沟槽中多次沉积未掺杂多晶硅并分层均匀掺杂相应元素形成多晶硅柱的DTI结构，且形成的DTI结构的阻值不会过大。
主权项：1.一种导线型深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在掺杂衬底上形成深沟槽，该深沟槽底部连通衬底，在深沟槽的侧壁形成有内衬氧化层；向深沟槽底部进行离子注入，该离子注入类型与掺杂衬底的掺杂类型相同；进行第一次填充，具体为向深沟槽内填充第一层未掺杂多晶硅，在第一层未掺杂多晶硅上再沉积掺杂玻璃薄膜，该掺杂玻璃薄膜覆盖整个深沟槽，并进行退火，掺杂玻璃薄膜中的掺杂元素向第一层未掺杂多晶硅中扩散，该掺杂元素与掺杂衬底的掺杂类型相同；扩散完成后，去除全部的掺杂玻璃薄膜；以相同的方法重复进行多次填充，直到在深沟槽内形成完整的多晶硅柱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 导线型深沟槽隔离结构及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号