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【发明公布】一种双层光电镊芯片及其制造方法_微纳动力(北京)科技有限责任公司_202410451362.6 

申请/专利权人:微纳动力(北京)科技有限责任公司

申请日:2024-04-16

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118045645A

主分类号:B01L3/00

分类号:B01L3/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:本发明提供了一种双层光电镊芯片及其制造方法,涉及生物芯片技术领域,包括上基底和下基底,上基底和下基底之间设有若干隔离墙,相邻隔离墙之间设置有流道,上基底包括玻璃,玻璃上设置有ITO层,ITO层上设置有第二光电层,第二光电层设置于隔离墙上,下基底包括衬底,衬底上设置有第一光电层,第一光电层与隔离墙相接触。通过设置第一光电层和第二光电层,流道中的颗粒分别受到上下两边的力的作用,从而增加了入射光的转换效率,使得流道中的颗粒受力均匀,减少颗粒的移动的阻力,提高光电镊芯片性能。

主权项:1.一种双层光电镊芯片,其特征在于,包括上基底(1)和下基底(7),上基底(1)和下基底(7)之间设有若干隔离墙(5),相邻隔离墙(5)之间设置有流道(6),上基底(1)包括玻璃(2),玻璃(2)上设置有ITO层(3),ITO层(3)上设置有第二光电层(4),第二光电层(4)设置于隔离墙(5)上,下基底(7)包括衬底(9),衬底(9)上设置有第一光电层(8),第一光电层(8)与隔离墙(5)相接触。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 微纳动力(北京)科技有限责任公司 一种双层光电镊芯片及其制造方法

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