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申请/专利权人：深圳市辰中科技有限公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053784A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L23/544
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种集成电路关键尺寸的测量方法、系统及集成电路，涉及半导体技术领域，所述测量方法包括：测量集成电路中特征结构的初始尺寸，所述初始尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之前的尺寸；测量所述特征结构的膜厚尺寸，所述膜厚尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之后覆膜层的尺寸；基于所述初始尺寸和所述膜厚尺寸，计算生成所述特征结构的关键尺寸。本发明具有操作简单，准确性高的优点，可测量集成电路的特征结构在原子层沉积工艺后的关键尺寸。
主权项：1.一种集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，包括：测量集成电路中特征结构的初始尺寸，所述初始尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之前的尺寸；测量所述特征结构的膜厚尺寸，所述膜厚尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之后覆膜层的尺寸；基于所述初始尺寸和所述膜厚尺寸，计算生成所述特征结构的关键尺寸，所述关键尺寸满足以下公式：Z=Y+2*X其中，Z表示所述关键尺寸，Y表示所述初始尺寸，X表示所述膜厚尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市辰中科技有限公司 一种集成电路关键尺寸的测量方法、系统及集成电路
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