龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053769A
主分类号：H01L21/60
分类号：H01L21/60;H01L23/482;H01L23/485
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：一种晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法，晶圆包括：基底；介质层，位于所述基底上，所述介质层背向所述基底一侧的面为键合面；键合焊盘，位于所述主芯片区的介质层内，且所述键合焊盘的顶面露出于所述键合面，所述键合焊盘用于实现多个晶圆的键合面之间的键合；键合结构，位于所述修边区的介质层内，且所述键合结构露出于所述键合面，所述键合结构用于实现多个晶圆的键合面之间的键合，且所述键合结构之间的键合强度，大于所述键合焊盘之间的键合强度。提高了半导体结构的封装可靠性和产品良率。
主权项：1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括主芯片区和环绕所述主芯片区的修边区，所述晶圆包括：基底；介质层，位于所述基底上，所述介质层背向所述基底一侧的面为键合面；键合焊盘，位于所述主芯片区的介质层内，且所述键合焊盘的顶面露出于所述键合面，所述键合焊盘用于实现多个晶圆的键合面之间的键合；键合结构，位于所述修边区的介质层内，且所述键合结构露出于所述键合面，所述键合结构用于实现多个晶圆的键合面之间的键合，且所述键合结构之间的键合强度，大于所述键合焊盘之间的键合强度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆及其制造方法、封装结构及封装方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号