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【发明公布】晶圆的除气方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202410015862.5 

申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司

申请日:2024-01-04

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118053737A

主分类号:H01L21/02

分类号:H01L21/02;H01L21/203

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:公开了一种晶圆的除气方法,包括:当传送手臂将晶圆传输至等离子体设备的除气腔室中时,上移顶针升起晶圆使其远离传送手臂,传送手臂抽出腔室;保持晶圆升起的状态,对除气腔室进行充气直至除气腔室中的环境稳定;降下顶针使晶圆与载片台贴合;充入气体并对晶圆进行加热以去除晶圆表面的水汽;进行抽真空处理直至除气腔室的真空度达到预设值;上移顶针升起晶圆,通过传送手臂将晶圆传出除气腔室。通过在对晶圆进行加热前,使晶圆保持升起的状态,对腔室充气直至环境稳定,下降顶针使晶圆与载片台贴合,充入气体且对晶圆加热,之后使顶针保持下降的状态下进行抽真空处理至环境稳定,而后上升晶圆传出腔室,从而使得晶圆的位置较为稳定。

主权项:1.一种晶圆的除气方法,其特征在于,包括:当传送手臂将晶圆传输至等离子体设备的除气腔室中时,上移顶针升起所述晶圆使其远离所述传送手臂,传送手臂抽出腔室;保持所述晶圆升起的状态,对所述除气腔室进行充气直至所述除气腔室中的环境稳定;降下所述顶针使所述晶圆与载片台贴合;充入气体并对所述晶圆进行加热以去除所述晶圆表面的水汽;进行抽真空处理直至所述除气腔室的真空度达到预设值;上移顶针升起所述晶圆,通过所述传送手臂将所述晶圆传出所述除气腔室。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆的除气方法

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