申请/专利权人：蚌埠高华电子股份有限公司

申请日：2021-12-29

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN114481062B

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/54

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开

摘要：本发明公开了一种TFT‑LCD高阻镀膜工艺气体装置，涉及TFT‑LCD技术领域。本发明中：基片包括有一组气体注入侧和一组气体回流侧，镀膜工艺气体装置包括两个设置在气体注入侧外围区域的工艺气管，工艺气管设有朝向气体注入侧的出气孔；镀膜工艺气体装置包括设置在其中一气体回流侧外围区域的第一偏位吸气装置和设置在另外一气体回流侧外围区域的第二偏位吸气装置；第一偏位吸气装置、第二偏位吸气装置的两侧都连通有中间储气罐，中间储气罐的出气端与工艺气管连通。本发明中的工艺气体供气装置采用双边侧供气、偏位式气体回流引导方式，使镀膜室的气体分布更匀称，不易出现溅射亏气、靶面中毒现象，而且使产品膜层更加均匀以及稳定。

主权项：1.一种TFT-LCD高阻镀膜工艺气体装置，镀膜工艺气体装置包括靶电源、磁控靶，镀膜工艺气体装置对基片（1）进行镀膜，所述基片（1）包括有一组气体注入侧和一组气体回流侧，其特征在于：镀膜工艺气体装置包括两个设置在气体注入侧外围区域的工艺气管（2），所述工艺气管（2）设有朝向气体注入侧的出气孔（201）；镀膜工艺气体装置包括设置在其中一气体回流侧外围区域的第一偏位吸气装置（3）和设置在另外一气体回流侧外围区域的第二偏位吸气装置（4）；所述第一偏位吸气装置（3）、第二偏位吸气装置（4）交错分布在基片（1）的两个气体回流侧外围区域；所述第一偏位吸气装置（3）、第二偏位吸气装置（4）与基片（1）的气体回流侧的最短垂直距离相同；设第一偏位吸气装置（3）吸气口与第二偏位吸气装置（4）吸气口之间的横向间距为△x，设第一偏位吸气装置（3）、第二偏位吸气装置（4）的吸气功率为Ps，则吸气功率Ps∝横向间距△x；所述第一偏位吸气装置（3）、第二偏位吸气装置（4）的两侧都连通有中间储气罐（5），所述中间储气罐（5）的出气端与工艺气管（2）连通；其中，所述工艺气管（2）和中间储气罐（5）内都配置有气压监测模块；镀膜工艺气体装置包括用于对多种工艺气体进行均匀混合的混气罐，所述混气罐通过独立的供气管路与工艺气管（2）连接，所述中间储气罐（5）配置有气压安全阀或与混气罐相连通的单向阀管路，根据工艺气管（2）内实时的气压，混气罐实时调控输出气体气压；其中，所述第一偏位吸气装置（3）、第二偏位吸气装置（4）设有两个出气端，所述第一偏位吸气装置（3）、第二偏位吸气装置（4）的出气端连接有气体分流管（6），所述气体分流管（6）的下游端与中间储气罐（5）连接，所述气体分流管（6）配置有朝向中间储气罐（5）的分流单向阀（7）；其中，所述中间储气罐（5）与工艺气管（2）侧端配置有气体回流管（8），所述气体回流管（8）配置有朝向工艺气管（2）的回流单向阀（9）。

全文数据：

权利要求：

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