申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

申请日：2022-03-11

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN114664867B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开

摘要：一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括：显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，显示区域包括：驱动区域和非驱动区域，驱动区域包括：薄膜晶体管、设置为向薄膜晶体管提供驱动信号的扫描线和设置为向薄膜晶体管提供数据信号的数据线，位于非驱动区域的阵列基板包括：基底以及依次叠设在基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、平坦层、第一电极层、第四绝缘层和第二电极层；非驱动区域的透过率大于阈值透过率。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为高级超维场转换AdvancedSuperDimensionSwitch，ADS显示模式的阵列基板，包括：显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域，所述显示区域包括：驱动区域和非驱动区域，所述驱动区域包括：薄膜晶体管、设置为向所述薄膜晶体管提供驱动信号的扫描线和设置为向所述薄膜晶体管提供数据信号的数据线，所述位于所述非驱动区域的阵列基板包括：基底以及依次叠设在所述基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、平坦层、第一电极层、第四绝缘层和第二电极层，位于所述驱动区域的阵列基板包括：基底以及依次叠设在所述基底上的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一导电层、第三绝缘层、第二导电层、平坦层、第一电极层和第四绝缘层，第一导电层包括：薄膜晶体管的栅电极和扫描线；所述第二绝缘层包括：第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层远离所述基底的一侧，第一子绝缘层的厚度大于所述第二子绝缘层的厚度；所述非驱动区域的透过率大于阈值透过率；所述阵列基板包括：位于所述显示区域的多个像素区域，每个像素区域包括：第一电极和第二电极，位于同一像素区域的第一电极在基底上的正投影与第二电极在基底上的正投影至少部分重叠；所述第一电极层包括：至少一个像素区域的第一电极，所述第一电极为面状电极；所述第二电极层包括：至少一个像素区域的第二电极，所述第二电极包括：阵列排布的多个子电极。

全文数据：

权利要求：

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