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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2021-01-22
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112767992B
主分类号：G11C29/50
分类号：G11C29/50;G06F30/333
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开
摘要：本发明提供一种寄生电容过载的检测方法，所述寄生电容过载的检测方法包括：在存储电路中选定节点。获取所述存储电路中所有MOS管的驱动能力值。判断每一所述MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内；若是，则所述MOS管对应的节点的寄生电容合格；若否，则所述MOS管对应的节点的寄生电容过载。因此，本发明提供的所述寄生电容过载的检测方法将所述节点处的寄生电容是否过载，映射为所述节点对应的MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内。故本发明不需要对整个存储电路进行仿真，即可检测出每一所述节点处的寄生电容是否过载，大大的缩短了检测的时间，提高了寄生电容过载的检测效率。
主权项：1.一种寄生电容过载的检测方法，其特征在于，所述寄生电容过载的检测方法包括：在存储电路中选定节点；以及，对每一MOS管执行带负载仿真，以获得每一所述MOS管对应的寄生电容；获取所述存储电路中所有MOS管的驱动能力值；判断每一所述MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内；若是，则所述MOS管对应的节点的寄生电容合格；若否，则所述MOS管对应的节点的寄生电容过载；其中，当各所述MOS管串联相接时，每一所述MOS管处均设有节点，则所述MOS管的驱动能力值P，满足如下公式： 其中，C为所述MOS管的寄生电容，WL为所述MOS管的宽长比；当存储电路中两个以上所述MOS管并联时，并联的各所述MOS管对应同一节点，且并联的各所述MOS管的总的驱动能力值P’，满足如下公式： 其中，C’为并联的各所述MOS管的总的寄生电容，n为并联的所述MOS管的数量，WiLi为第i个所述MOS管的宽长比，且0i≤n。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 寄生电容过载的检测方法
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