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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日：2021-07-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113594189B
主分类号：H01L27/144
分类号：H01L27/144;H01L31/0224
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开
摘要：本申请实施例提供了一种光电子集成基板及其制备方法、光电子设备。在本申请实施例提供的光电子集成基板中，光电二极管的第二电极在衬底的正投影区域，与第一电极在衬底的正投影区域不重叠。即在垂直于衬底的方向上，第一电极和第二电极不正对，从而能够延长载流子从第一电极到第二电极的传输距离，能够减小光电二极管中形成的结电容，能够提高光电二极管的响应频率。而且，由于第一电极和第二电极不正对，使得半导体层的厚度能够减小，从而能够降低光电二极管的厚度，从而能够在确保光电二极管对波长较短的信号光吸收的基础上，能够减少对环境中波长较长的光的吸收，从而增强光电二极管的光谱选择性，有利于降低误码率。
主权项：1.一种光电子集成基板，其特征在于，包括：衬底；光电单元，位于所述衬底的一侧，所述光电元件包括光电二极管，所述光电二极管包括依次叠置的第一电极、半导体层和第二电极，所述第二电极位于所述半导体层远离所述衬底的一侧；所述第二电极在所述衬底的正投影区域，与所述第一电极在所述衬底的正投影区域不重叠；所述第一电极包括第一指状分支，所述第二电极包括第二指状分支；在平行于所述衬底的第一方向上，所述第一指状分支和所述第二指状分支交替排列；所述第一指状分支在所述衬底的正投影区域，与相邻的所述第二指状分支在所述衬底的正投影区域具有设定间距；所述第一电极包括第二源漏电极结构或暴露于图案化的隔离层的第二源漏电极层，所述第二电极包括透光电极结构或第三源漏电极结构；所述第一电极包括所述第二源漏电极结构，且所述第二电极包括所述透光电极结构；或者，所述光电二极管还包括所述图案化的隔离层，所述第一电极包括暴露于所述图案化的隔离层的第二源漏电极层，所述图案化的隔离层位于所述第二源漏电极层远离所述衬底的一侧，且所述第二电极包括所述透光电极结构；或者，所述第一电极包括所述第二源漏电极结构，且所述第二电极包括所述第三源漏电极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 光电子集成基板及其制备方法、光电子设备
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