龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日：2021-10-18
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113948604B
主分类号：H01L31/105
分类号：H01L31/105;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.02.08#实质审查的生效;2022.01.18#公开
摘要：本发明提供了一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器，紫外探测技术领域，包括衬底，在衬底上依次生长的缓冲层、n‑AlGaN层、i‑AlGaN层、p‑AlGaN层；i‑AlGaN层和p‑AlGaN层位于器件的有源区之间的区域均被刻蚀掉，形成被分隔开的两部分p型有源区；还包括2个p型欧姆接触电极上电极，分别位于两部分p型有源区的p‑AlGaN层的上方，上电极与p‑AlGaN层形成欧姆接触；n‑AlGaN层作为基极连接两部分pin结构，形成p‑i‑n‑i‑p结构，光照下电子在所述n‑AlGaN层聚集，降低了所述n‑AlGaN层基极与p‑AlGaN层之间的势垒，引起空穴在p‑AlGaN层发射，产生增益。本发明还提供一种上述探测器的制备方法。本发明的探测器在具有高增益的同时，具有响应速度快的特性，性能优异、结构简单、制备方法简单、应用前景广泛。
主权项：1.一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次生长的缓冲层、n-AlGaN层、i-AlGaN层、p-AlGaN层；所述n-AlGaN层、所述i-AlGaN层及所述p-AlGaN层中Al组份的含量大于0.45；所述i-AlGaN层和p-AlGaN层位于器件的有源区之间的区域均被刻蚀掉，形成被分隔开的两部分p型有源区，隔离宽度为0.01-1000μm；还包括2个上电极，均为p型欧姆接触电极，分别位于两部分p型有源区的p-AlGaN层的上方，上电极与p-AlGaN层形成欧姆接触；所述n-AlGaN层作为基极连接两部分pin结构，形成p-i-n-i-p结构，光照下电子在所述n-AlGaN层聚集，降低了所述n-AlGaN层基极与p-AlGaN层之间的势垒，引起空穴在p-AlGaN层发射，产生增益。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号