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【发明授权】降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺_安徽万磁电子有限公司_202211281453.7 

申请/专利权人:安徽万磁电子有限公司

申请日:2022-10-19

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN115584503B

主分类号:C23F1/44

分类号:C23F1/44;C23F1/28;C23F1/18;C23F11/10

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.17#授权;2023.01.31#实质审查的生效;2023.01.10#公开

摘要:本发明公开一种降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺,涉及钕铁硼再利用技术领域。本发明用于解决不能在去除表面镍铜镍镀层的同时降低对烧结钕铁硼磁体的腐蚀性,以进一步提高钕铁硼磁体的再利用率的技术问题;退镀工艺的步骤包括退镀液配制、浸泡退镀、清洗干燥,退镀液以硝酸和氢氟酸为主成分;阳离子表面活性剂能够以氢键与硝酸、氢氟酸分子中的氢键合,使其氨基带上正电荷,带来良好表面活性的同时降低了氢氟酸的挥发性;配合乙二胺四乙酸四钠的金属络合作用以及活性缓蚀剂的缓蚀作用,使得退镀工艺能够高效完全的去除烧结钕铁硼磁体表面的镍铜镍镀层,降低对钕铁硼磁体的腐蚀性,提高钕铁硼磁体的再利用率。

主权项:1.降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、退镀液配制:将硝酸、氢氟酸、氨基磺酸、活性缓蚀剂、阳离子表面活性剂、乙二胺四乙酸四钠加入到水中,分散均匀得到退镀液;活性缓蚀剂由五硫化二磷与苯甲醇发生取代反应,再与吩噻嗪成盐得到;阳离子表面活性剂由三聚氰胺与N-异丙基-2-氯乙酰苯胺发生亲核取代反应得到中间体1,对甲苯磺酰氯再与中间体1发生亲核取代反应得到;S2、浸泡退镀:将退镀液加入退镀槽内,具有镍铜镍镀层的烧结钕铁硼磁体置于退镀液内,保持退镀液温度20~35℃,每隔1~2min翻转烧结钕铁硼磁体,直至烧结钕铁硼磁体表面的镍铜镍镀层褪去;S3、清洗干燥:取出烧结钕铁硼磁体,去离子水清洗去除表面残留的退镀液,得到退镀烧结钕铁硼磁体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽万磁电子有限公司 降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺

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