申请/专利权人：昆明理工大学

申请日：2023-10-30

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN117385457B

主分类号：C30B27/02

分类号：C30B27/02;C30B15/36;C30B29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。

主权项：1.一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，其特征在于：在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色；所述引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片4，肋片4的自由端向引气罩中心轴线延伸，肋片4的底端延伸至引气罩末端，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端1，微喇型进气端1的顶端直径大于底端直径，肋片4的顶端向上延伸至微喇型进气端1末端，引气罩S1段的底部为与微喇型进气端1底端一体成型的圆柱形引气筒Ⅰ，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，漏斗型引气筒包括从上至下依次连接的圆柱形引气段Ⅰ、微缩引气段和圆柱形引气段Ⅱ，圆柱形引气段Ⅰ、微缩引气段和圆柱形引气段Ⅱ一体成型，圆柱形引气段Ⅱ末端为引气罩出口端10，圆柱形引气筒Ⅰ、圆柱形引气筒Ⅱ和圆柱形引气段Ⅰ的内径相等，圆柱形引气段Ⅰ的直径大于圆柱形引气段Ⅱ的直径；引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤2，钼质重锤2包括从上至下依次连接的圆柱体Ⅰ段、微喇体Ⅱ段和圆柱体Ⅲ段，圆柱体Ⅰ段的直径小于圆柱体Ⅲ段的直径，钼质重锤2末端同轴固定设置有石墨籽晶夹具7，石墨籽晶夹具7的末端同轴夹持有籽晶9，籽晶9向下延伸至引气罩外侧；钼质重锤2的圆柱体Ⅰ段向上延伸至引气罩S1段的微喇型进气端1内，圆柱体Ⅲ段的末端向下延伸至引气罩S2段下部，石墨籽晶夹具7的顶端延伸至引气罩S2段内，石墨籽晶夹具7的末端位于引气罩S3段的微缩引气段内；钼质重锤2与引气罩S1段的圆柱形引气筒Ⅰ之间形成S1段狭道5，石墨籽晶夹具7与引气罩S3段的微缩引气段之间形成S3段狭道8。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明理工大学 一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD