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申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日：2024-01-19
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN117594669B
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/0368;H01L31/042;H01L31/20;H01L27/142;H01L31/043
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；隧穿层，位于第一表面；掺杂导电层，掺杂导电层内具有第一晶粒，位于隧穿层远离基底的表面；掺杂硅层，位于掺杂导电层远离基底的表面，掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离基底的方向上，掺杂硅层相对于掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；第一电极，位于掺杂硅层远离基底一侧，至少与掺杂硅层电接触。本申请实施例有利于提升太阳能电池的光电转化效率。
主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有第一表面；隧穿层，位于所述第一表面；掺杂导电层，所述掺杂导电层内具有第一晶粒，位于所述隧穿层远离所述基底的表面；掺杂硅层，位于所述掺杂导电层远离所述基底的表面，所述掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离所述基底的方向上，所述掺杂硅层相对于所述掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%，所述掺杂硅层包括未被晶化的非晶硅部分和被晶化的多晶部分；第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述掺杂硅层远离所述基底的表面；第一电极，所述第一电极位于所述第一钝化层远离所述基底的部分表面，且所述第一电极穿透所述第一钝化层，与所述掺杂硅层或所述掺杂导电层电接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件
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