申请/专利权人：长鑫存储技术(西安)有限公司

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN117672290B

主分类号：G11C11/406

分类号：G11C11/406;G11C11/408

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种存储器结构、刷新方法及存储器，其中，存储器结构：刷新存储电路，设置于存储控制器中，用于存储补充刷新地址，补充刷新地址用于指示保存电荷能力存在缺陷的存储单元；刷新寄存器，设置于多个存储块的每一存储块中；其中，存储器结构在上电过程中，刷新存储电路将补充刷新地址传输至对应的刷新寄存器中；每一存储块被配置为，于行锤刷新期间，基于第一刷新窗口和行锤刷新标识对行锤地址执行刷新，或基于第二刷新窗口和补充刷新标识对补充刷新地址执行刷新；其中，第一刷新窗口和第二刷新窗口基于行锤刷新窗口分配，且第一刷新窗口和第二刷新窗口的比例为第一预设值。

主权项：1.一种存储器结构，其特征在于，所述存储器结构包括存储控制器和多个存储块，所述存储器结构包括：刷新存储电路，设置于所述存储控制器中，用于存储补充刷新地址，所述补充刷新地址用于指示保存电荷能力存在缺陷的存储单元；刷新寄存器，设置于所述多个存储块的每一存储块中；其中，所述存储器结构在上电过程中，所述刷新存储电路将所述补充刷新地址传输至对应的所述刷新寄存器中；所述每一存储块被配置为，于行锤刷新期间，基于第一刷新窗口和行锤刷新标识对行锤地址执行刷新，或基于第二刷新窗口和补充刷新标识对所述补充刷新地址执行刷新；其中，所述第一刷新窗口和所述第二刷新窗口基于行锤刷新窗口分配，且所述第一刷新窗口和所述第二刷新窗口的比例为第一预设值；其中，所述存储控制器包括：第一刷新控制电路，被配置为，生成标识信号；第二刷新控制电路，被配置为，生成行锤刷新窗口和行锤刷新信号；刷新处理电路，连接所述第一刷新控制电路和所述第二刷新控制电路；若所述标识信号无效，所述刷新处理电路被配置为，基于所述行锤刷新窗口生成所述第一刷新窗口，并基于所述行锤刷新信号生成所述行锤刷新标识；若所述标识信号有效，所述刷新处理电路被配置为，基于所述行锤刷新信号循环计数以生成判断值，其中，当所述判断值有效，所述刷新处理电路还被配置为，基于所述行锤刷新窗口生成所述第二刷新窗口，并基于所述行锤刷新信号生成所述补充刷新标识；当所述判断值无效，所述刷新处理电路还被配置为，基于所述行锤刷新窗口生成所述第一刷新窗口，并基于所述行锤刷新信号生成所述行锤刷新标识；所述判断值用于配置所述第一预设值。

全文数据：

权利要求：

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