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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2021-04-16
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113517211B
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02;C23C14/35;C23C14/50
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备及薄膜沉积方法，其中，半导体工艺设备包括工艺腔室、承载部件和冷却部件，承载部件可移动地设置在工艺腔室中，用于承载晶圆；冷却部件设置在工艺腔室中，并位于承载部件的下方，用于在承载部件移动至靠近冷却部件时，对承载部件进行冷却。本发明提供的半导体工艺设备及薄膜沉积方法，能够减少承载部件降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
主权项：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、承载部件和冷却部件，其中，所述承载部件可移动地设置在所述工艺腔室中，用于承载晶圆；所述冷却部件设置在所述工艺腔室中，并位于所述承载部件的下方，用于在所述承载部件移动至靠近所述冷却部件时，对所述承载部件进行冷却；所述冷却部件包括：冷却主体，设置在所述工艺腔室中，并位于所述承载部件的下方，所述冷却主体中开设有液体冷却通道和气体冷却通道；所述冷却主体包括环状冷却板；所述液体冷却通道和所述气体冷却通道均设置在所述环状冷却板中，且均包括多个同心的环形通道，所述液体冷却通道的环形通道和所述气体冷却通道的环形通道交替排布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及薄膜沉积方法
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