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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-04-11
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118039638A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本发明提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区，第一P型阱区位于半导体衬底中，第一P型阱区包括第一P型子阱区和两个第二P型子阱区，沿第一P型子阱区的长度方向两个第二P型子阱区分别与第一P型子阱区的两端连接，且两个第二P型子阱区的宽度均大于第一P型子阱区的宽度；两个N型阱区均位于半导体衬底中，沿第一P型阱区的宽度方向两个N型阱区对称设置于第一P型阱区的两侧，且每个N型阱区与第一P型子阱区和第二P型子阱区均具有间隙。本发明提高两个N型阱区之间第一P型阱区的面积占比，能够减小半导体器件的失配系数，改善半导体器件的失配现象。
主权项：1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一P型阱区，位于所述半导体衬底中，所述第一P型阱区包括第一P型子阱区和两个第二P型子阱区，沿所述第一P型子阱区的长度方向两个所述第二P型子阱区分别与所述第一P型子阱区的两端连接，且两个所述第二P型子阱区的宽度均大于所述第一P型子阱区的宽度；两个N型阱区，均位于所述半导体衬底中，沿所述第一P型阱区的宽度方向两个所述N型阱区对称设置于所述第一P型阱区的两侧，且每个所述N型阱区与所述第一P型子阱区和所述第二P型子阱区均具有间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件版图结构
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